NE3509M04-T2-A

功能描述:射频GaAs晶体管 L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET

RoHS:

制造商:TriQuint Semiconductor

技术类型:pHEMT

频率:500 MHz to 3 GHz

增益:10 dB

噪声系数:

正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S

漏源电压 VDS:

闸/源击穿电压:- 8 V

漏极连续电流:3 A

最大工作温度:+ 150 C

功率耗散:10 W

安装风格:

封装 / 箱体:

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